SiC功率器件纳米铜封装技术：抗氧化策略、低温互连机理与可靠性| Journal of Alloys and Compounds

中国科学院宁波材料技术与工程研究所联合南京航空航天大学、大阪大学团队针对SiC功率器件高温封装需求，系统综述了纳米铜烧结技术的最新研究进展。传统Sn基钎料因熔点低（<250°C）无法满足SiC器件>300°C的高温服役要求，而纳米铜烧结凭借优异的导电导热性、抗电迁移能力和低成本优势，成为最具前景的下一代功率器件封装解决方案。然而铜纳米颗粒极易氧化，严重制约低温烧结致密化。本文从三大方面展开综述：①抗氧化策略（有机配体保护、核壳结构、还原性溶剂）；②低温低压烧结机理（尺寸效应/表面扩散/CuₓO亚氧化物中间相）；③接头可靠性（高温存储/热循环/功率循环失效机制）。提出了氧化-还原动力学协同调控的糊料设计新理念，为Cu烧结技术的工业化应用提供了系统指导                                                                                                                                      。